[发明专利]一种III族氮化物发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201110087979.7 | 申请日： | 2011-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN102185062A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 王钢;江灏;郑致远 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种III族氮化物发光二极管及其制作方法，发光二极管包括衬底(1)以及层叠于衬底上的半导体外延叠层，该半导体外延叠层由下至上依次包括N型层(2)、发光层(3)和P型层(4)，其特征在于，部分半导体外延叠层通过刻蚀，在N型层(2)中形成一N型层台面，该N型层台面上设置N型电极(7)；在P型层(4)未刻蚀部分的上表面设置有P型电极(6)；所述N型层(2)还包含有掺杂浓度一致的均匀掺杂层(2a)和掺杂浓度变化的调制掺杂层(2b),调制掺杂层(2b)设于均匀掺杂层(2a)和发光层(3)之间。本发明可以显著改善晶体质量和发光均匀性，提高光效，并提高了器件的可靠性，延长器件寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 iii 氮化物 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物发光二极管，包括衬底(1)以及层叠于衬底上的半导体外延叠层，该半导体外延叠层由下至上依次包括N型层(2)、发光层(3)和P型层(4)，其特征在于，部分半导体外延叠层通过刻蚀，在N型层(2)中形成一N型层台面，该N型层台面上设置N型电极(7)；在P型层(4)未刻蚀部分的上表面设置有P型电极(6)； 所述N型层(2)包括掺杂浓度一致的均匀掺杂层(2a)和掺杂浓度变化的调制掺杂层(2b),调制掺杂层(2b)设于均匀掺杂层(2a)和发光层(3)之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110087979.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：环糊精包合物的制备方法及在饰品中的应用
- 下一篇：一种家具防霉除臭剂
