[发明专利]晶体生长方法及衬底的制作方法

摘要

本发明提供一种衬底制作方法和晶体生长方法，所述衬底制作方法通过重复交替生长具有第一晶面取向和第二晶面取向的晶棒，从晶棒中按照晶面取向切下来所需取向的晶片来获得高质量(低应力、低位错密度)、大尺寸的单晶衬底，无需采用激光剥离或应力自剥离，能够实现大批量的工业生产，降低了制作成本。

主权项

一种衬底制作方法，其特征在于，包括：步骤S1：将多个晶种按照基本相同的晶面取向，即第一晶面，拼接设置成第一生长基底，所述第一生长基底表面具有各个晶种之间的接缝；步骤S2：进行第一晶面的晶体生长，即在第一生长基底上生长出第一晶棒；步骤S3：平行于或相交于第一晶棒生长方向，从第一晶棒中切下第一晶片，确保第一晶片尺寸仍然大于目标尺寸且其接缝个数少于第一晶面上的接缝个数；步骤S4：对第一晶片进行表面处理，以形成第二生长基底，所述第二生长基底具有第二晶面的晶面取向；步骤S5：进行第二晶面的晶体生长，即在第二生长基底上生长出第二晶棒；步骤S6：平行于或相交于第二晶棒，从第二晶棒中切下第二晶片，确保第二晶片尺寸仍然大于目标尺寸且其接缝个数少于第一晶片上的接缝个数；步骤S7：对第二晶片进行表面处理，以形成第一生长基底；步骤S8：重复步骤S2至步骤S7，即交替进行第一晶面的晶体生长和第二晶面的晶体生长，在步骤S3或步骤S6终止，最后形成的第一晶片或第二晶片中没有接缝，从而获得单晶晶片。步骤S9：以步骤S8所述单晶晶片为晶种形成衬底。