[发明专利]制造薄膜光吸收层的方法及使用其制造薄膜太阳能电池的方法无效

专利信息
申请号: 201110090193.0 申请日: 2011-02-28
公开(公告)号: CN102194925A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 赵庭敏;裵恩真;咸昶宇;徐正大;郑明爱;宋基凤 申请(专利权)人: 韩国电子通信研究院
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/032
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 宋莉
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及制造薄膜光吸收层的方法及使用其制造薄膜太阳能电池的方法。使用喷射制造薄膜光吸收层的方法包括:在氮气气氛下在室温下混合包括CuCl2、InCl3和SeC(NH2)2的前体溶液,由此制备混合物溶液;将所述混合物溶液喷射在基底上和对其进行干燥,由此形成薄膜;和在硒气氛下对所述薄膜进行硒化。所述制造薄膜太阳能电池的方法包括:使用溅射在玻璃基底上形成背接触层;使用喷射在所述背接触层上形成光吸收层;使用化学气相沉积在所述光吸收层上形成缓冲层;使用溅射在所述缓冲层上形成窗口层;和在所述窗口层上形成上电极层。
搜索关键词: 制造 薄膜 光吸收 方法 使用 太阳能电池
【主权项】:
制造薄膜光吸收层的方法,包括:通过在氮气气氛下在室温下混合包括CuCl2、InCl3和SeC(NH2)2的前体溶液制备混合物溶液;将所述混合物溶液喷射在基底上和干燥所述混合物溶液,由此形成薄膜;和在硒气氛下对所述薄膜进行硒化。
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