[发明专利]用于发光器件的发光陶瓷无效
| 申请号： | 201110090653.X | 申请日： | 2005-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN102208521A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | G·O·穆勒;R·B·穆勒－马克;M·R·克拉默斯;P·J·施米特;H·贝克特尔;J·迈耶;J·德格拉夫;T·A·科普 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/58;C04B35/44;C09K11/80 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙之刚;刘鹏 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 包括沉积在n型区和p型区之间的发光层的半导体发光器件与沉积在发光层发出的光的路径上的陶瓷层结合。该陶瓷层包括一种波长转换材料例如磷光体。根据发明实施方式的发光陶瓷层比现有技术的磷光体层对温度具有更强的鲁棒性或更弱的敏感性。另外，发光陶瓷比现有技术的磷光体层显示出更少的散射并从而提高了转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 发光 器件 陶瓷 | ||
【主权项】：
一种结构，包括：包含设置在n型区域（42）和p型区域（44）之间的发光层（43）的半导体发光器件（52）；以及设置在由发光层发出的光的路径中的第一陶瓷层（50，50a），该第一陶瓷层包括波长转换材料；其中该半导体发光器件生长在该第一陶瓷层上，从而该第一陶瓷层用作生长衬底。
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