[发明专利]具旁路电容器的变压器及其制造方法有效
| 申请号： | 201110092413.3 | 申请日： | 2011-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN102543943A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 颜孝璁;林佑霖;吕盈达;郭晋玮;陈和祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01F30/06;H01L29/94;H01L21/334 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;刘文意 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具旁路电容器的变压器及其制造方法，该变压器包括：一第一线圈，建构于一半导体基质上的一第一金属层，该第一线圈具有一第一片段以及一第二片段；一第二线圈，建构于该第一金属层，该第一片段与该第二线圈的一第一部位相邻，而该第二片段与该第二线圈的一第二部位相邻；一第一电容器，以一第一电极连接至一第一节点，该第一节点导通于该第一片段对该第二线圈之间；以及一第二电容器，以一第二电极连接至一第二节点，该第二节点导通于该第二片段与该第二线圈之间。本发明所揭示的变压器/巴伦解决耦合系数k与高共振频率无法兼顾的问题。此外，k值与互感值M皆通过电容器C1与C2的变容器获得调整。 | ||
| 搜索关键词： | 旁路 电容器 变压器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种变压器，包括：一第一线圈，建构于一半导体基质上的一第一金属层，该第一线圈具有一第一片段以及一第二片段；一第二线圈，建构于该第一金属层，该第一片段与该第二线圈的一第一部位相邻，而该第二片段与该第二线圈的一第二部位相邻；一第一电容器，以一第一电极连接至一第一节点，该第一节点导通于该第一片段对该第二线圈之间；以及一第二电容器，以一第二电极连接至一第二节点，该第二节点导通于该第二片段与该第二线圈之间。
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