[发明专利]一种基于碳纳米管的同位素电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201110092568.7 | 申请日： | 2011-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102737746A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 张锦文;陈长串 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06;G21H1/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于碳纳米管的同位素电池及其制备方法。该同位素电池包括换能结构和源结构两部分，换能结构包括第一衬底和其上由功函数高于碳纳米管费米能级的金属电极和功函数低于碳纳米管费米能级的金属电极组成的电极对，半导体性碳纳米管定向排布于电极对间，且两端分别与两个金属电极接触；源结构包括第二衬底和淀积于第二衬底上的放射性同位素膜；源结构和换能结构对准封接在一起，二者相接触的部位之间电学隔离，所述放射性同位素膜和碳纳米管位于封接形成的空腔内。本发明的同位素电池体积小，转换效率高，而且结构简单，易于实现，可以长时间工作于各种复杂的环境。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 同位素 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于碳纳米管的同位素电池，包括换能结构和源结构两部分，其中：换能结构包括第一衬底，位于第一衬底背面的背电极，位于第一衬底上表面的绝缘层和绝缘层上的金属电极对，以及定向排布于金属电极对间的半导体性碳纳米管，所述金属电极对中的一个电极由功函数高于碳纳米管费米能级的金属构成，另一个电极由功函数低于碳纳米管费米能级的金属构成，所述碳纳米管的两端分别与两个电极接触；源结构包括第二衬底和淀积于第二衬底上的放射性同位素膜；源结构和换能结构对准封接在一起，二者相接触的部位之间电学隔离，所述放射性同位素膜和碳纳米管位于封接形成的空腔内。
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