[发明专利]热处理设备及其温度校准方法和装置有效
| 申请号： | 201110092854.3 | 申请日： | 2011-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102738027A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 任瑞龙;黄柏喻 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/00;C30B33/02;G01K11/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种热处理设备的温度校准方法，适于在预定温度，通过测量标准片的校准点和第一点的温度进行温度校准，包括：校准具有第一发射率的标准片的校准点的温度；测量具有第二发射率的标准片的校准点和第一点的第二温度差值，并根据所述第二发射率和所述第二温度差值获得晶圆发射率与温度差值的线性常数；利用具有第三发射率的标准片对晶圆发射率与温度差值的线性关系进行验证，在验证结果超出预设范围时发出报警信号。利用本方法可以正确评估热处理设备的纠偏能力以及在晶圆低发射率时的温度侦测误差，从而避免了由于热处理设备的纠偏能力不足或晶圆的低发射率而影响晶圆的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 设备 及其 温度 校准 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种热处理设备的温度校准方法，适于在预定温度，通过测量标准片的校准点和第一点的温度进行温度校准，所述第一点与标准片中心的距离等于所述校准点与标准片中心的距离，所述第一点的温度高于所述校准点的温度，其特征在于，包括：校准具有第一发射率的标准片的校准点的温度，所述第一发射率不小于0.9；测量具有第二发射率的标准片的校准点和第一点的第二温度差值，并根据所述第二发射率和所述第二温度差值获得关联于晶圆发射率与温度差值的线性常数，所述第二发射率小于所述第一发射率；利用具有第三发射率的标准片对晶圆发射率与温度差值的线性关系进行验证，在验证结果超出预设范围时发出报警信号，所述线性关系关联于所述线性常数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
