[发明专利]减少太阳能电池表面的蚀刻痕的设备有效
申请号: | 201110093500.0 | 申请日: | 2011-04-12 |
公开(公告)号: | CN102738295A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 陈其成 | 申请(专利权)人: | 联景光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 中国台湾桃园县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种减少太阳能电池表面的蚀刻痕的设备,包括一蚀刻槽、设置于蚀刻槽内的一给药管以及包覆给药管的一气泡引导装置。所述气泡引导装置能引导自上述给药管排出的气泡往给药管的至少一端部移动。本发明的设备藉由气泡引导装置来引导自给药管排出的气泡往给药管的端部移动,故可减少因气泡导致太阳能电池表面的蚀刻痕的发生率。 | ||
搜索关键词: | 减少 太阳能电池 表面 蚀刻 设备 | ||
【主权项】:
一种减少太阳能电池表面的蚀刻痕的设备,适用于一太阳能电池的蚀刻工艺,其特征在于该设备至少包括:一蚀刻槽;一给药管,设置于该蚀刻槽内;以及一气泡引导装置,包覆该给药管,以便引导自该给药管排出的气泡往该给药管的端部移动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的