[发明专利]一种晶体硅铸锭方法及硅锭有效
| 申请号： | 201110093758.0 | 申请日： | 2011-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102154686A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 钟德京;张涛;胡动力 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14;C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;潘中毅 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅铸锭方法，该方法包括：在容器内表面上放置至少一个异质籽晶，所述异质籽晶为非硅籽晶的晶体；通过冷却与所述容器内表面放置的异质籽晶相接触的熔融硅，来控制所述熔融硅长晶以形成目标硅锭。本发明还公开了一种硅锭，实现了在容器内利用非硅物质的晶体作为籽晶的方式来生长单晶或大晶粒多晶硅，由于异质籽晶与硅晶体为具有不同理化特性的物质，容易控制铸锭时的温度而使得异质籽晶不至于完全熔融，同时利用不同物质之间易分离的性质，达到异质籽晶反复利用和简化生产工序的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 铸锭 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅铸锭方法，其特征在于，包括：在容器内表面上放置至少一个异质籽晶，所述异质籽晶为非硅籽晶的晶体；通过冷却与所述容器内表面放置的异质籽晶相接触的熔融硅，来控制所述熔融硅长晶以形成目标硅锭。
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