[发明专利]纳米硅薄膜晶体管压力传感器有效
| 申请号： | 201110093983.4 | 申请日： | 2011-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102243126A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 赵晓锋;温殿忠;庄萃萃;李玥 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | G01L9/06 | 分类号： | G01L9/06;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 牟永林 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 纳米硅薄膜晶体管压力传感器，属于传感器技术领域。它解决了现有压力传感器存在零点漂移的问题。它由第一纳米硅薄膜晶体管、第二纳米硅薄膜晶体管、第三纳米硅薄膜晶体管、第四纳米硅薄膜晶体管和单晶硅衬底组成，第一纳米硅薄膜晶体管的漏极连接电源VDD，第四纳米硅薄膜晶体管的源极接地GND；第二纳米硅薄膜晶体管的源极引出端作为第一输出电压端VOUT1，第一纳米硅薄膜晶体管的源极引出端作为第二输出电压端VOUT2；四个纳米硅薄膜晶体管均设置在单晶硅衬底上，单晶硅衬底的背面为C型硅杯结构，四个纳米硅薄膜晶体管沟道电阻构成惠斯通电桥结构。本发明用于压力检测。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 薄膜晶体管 压力传感器 | ||
【主权项】：
一种纳米硅薄膜晶体管压力传感器，其特征在于：它由第一纳米硅薄膜晶体管(M1)、第二纳米硅薄膜晶体管(M2)、第三纳米硅薄膜晶体管(M3)、第四纳米硅薄膜晶体管(M4)和单晶硅衬底(1)组成，第一纳米硅薄膜晶体管(M1)的源极连接第四纳米硅薄膜晶体管(M4)的漏极，第一纳米硅薄膜晶体管(M1)的漏极连接第二纳米硅薄膜晶体管(M2)的漏极，第二纳米硅薄膜晶体管(M2)的源极连接第三纳米硅薄膜晶体管(M3)的漏极，第三纳米硅薄膜晶体管(M3)的源极连接第四纳米硅薄膜晶体管(M4)的源极；第一纳米硅薄膜晶体管(M1)的漏极连接电源VDD，第四纳米硅薄膜晶体管(M4)的源极接地GND；第二纳米硅薄膜晶体管(M2)的源极引出端作为第一输出电压端VOUT1，第一纳米硅薄膜晶体管(M1)的源极引出端作为第二输出电压端VOUT2；四个纳米硅薄膜晶体管均设置在单晶硅衬底(1)上，单晶硅衬底(1)的背面为C型硅杯结构，四个纳米硅薄膜晶体管沟道电阻构成惠斯通电桥结构。
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