[发明专利]包含可抽拉腔室的半导体处理装置有效
申请号: | 201110094239.6 | 申请日: | 2011-04-15 |
公开(公告)号: | CN102738031A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 温子瑛;马彦圣 | 申请(专利权)人: | 无锡华瑛微电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/00 |
代理公司: | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人: | 王爱伟 |
地址: | 214135 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明揭露了一种包含可抽拉腔室的半导体处理装置,所述半导体处理装置包括一用于紧密容纳和处理半导体晶圆的微腔室,所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周边部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周边部分的下腔室部,所述上腔室部和/或所述下腔室部可在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动,其中所述下腔室部包括形成所述下工作表面和/或下周边部分的下腔室板和容纳所述下腔室板的下盒装置,所述下盒装置包含侧面开口的无盖空腔,所述下腔室板从所述侧面开口滑动进入或者移出所述无盖空腔。 | ||
搜索关键词: | 包含 可抽拉腔室 半导体 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种包含可抽拉腔室的半导体处理装置,利用处理流体对半导体晶圆及相似工件进行处理,其特征在于,其包括:包括一用于紧密容纳和处理半导体晶圆的微腔室,所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周边部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周边部分的下腔室部,所述上腔室部和/或所述下腔室部可在一用于装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于紧密容纳该半导体晶圆的关闭位置之间移动,当上腔室部或者所述下腔室部处于关闭位置时,半导体晶圆安装于所述上工作表面和下工作表面之间,且与所述微腔室的内壁形成有供处理流体流动的空隙,所述上腔室部和/或所述下腔室部中包括至少一个供处理流体进入所述微腔室的入口和至少一个供处理流体排出所述微腔室的出口,其中所述下腔室部包括形成所述下工作表面和/或下周边部分的下腔室板和容纳所述下腔室板的下盒装置,所述下盒装置包含侧面开口的无盖空腔,所述下腔室板可从所述侧面开口滑动进入或者移出所述无盖空腔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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