[发明专利]一种由隧穿场效应晶体管组成的光探测器及其制造方法

摘要

本发明属于光互连技术领域，具体涉及一种由隧穿场效应晶体管（TFET）组成的光探测器。本发明将隧穿场效应晶体管和光纤整合在一起，采用垂直沟道的隧穿场效应晶体管作为探测器来对光进行检测，所需偏压低，降低了能耗，并且提高了光探测器的输出电流和灵敏度。同时，本发明还公开了一种采用自对准工艺来制造由隧穿场效应晶体管组成的光探测器的方法，使得制程更加稳定，降低了生产成本。

主权项

一种由隧穿场效应晶体管组成的光探测器，包括：一个半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的隧穿场效应晶体管；在所述隧穿场效应晶体管之上形成的光纤和反射层；其特征在于，所述的隧穿场效应晶体管采用垂直沟道结构，包括在所述垂直沟道之下形成的具有第一种掺杂类型的漏区、在所述垂直沟道之上形成的具有第二种掺杂类型的源区和在所述垂直沟道的两侧形成的栅区；所述反射层与所述半导体衬底的表面成30‑60度的夹角，所述光纤中的光线经反射层反射后到达所述隧穿场效应晶体管的源区，以产生光生载流子。