[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201110095110.7 | 申请日： | 2011-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN102222689A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 町田修;岩渕昭夫 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其能够在提升面积使用效率的同时，维持晶体管(T)的特性，还能够实现整流元件(D)在低顺向的电压化。作为解决手段，半导体装置(1)具有整流元件(D)和晶体管(T)。整流元件(D)具有电流路径(43)、配设于电流路径(43)的一端且具备整流作用的第1主电极(11)、配设于电流路径(43)的另一端的第2主电极(12)、配设于该第1主电极(11)与第2主电极(12)之间且顺向电压大于第1主电极(11)的第1辅助电极(15)。晶体管(T)具有电流路径(43)、在与电流路径(43)交叉的方向配设于电流路径(43)一端的第3主电极(13)、围绕第3主电极(13)配设的控制电极(14)、第2主电极(12)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有整流元件和晶体管，其中，该整流元件具有：电流路径；第1主电极，其配设于上述电流路径的一端，具有整流作用；第2主电极，其配设于上述电流路径的另一端；以及第1辅助电极，其配设于上述电流路径中的上述第1主电极与上述第2主电极之间，顺向电压大于上述第1主电极，该晶体管具有：上述电流路径；第3主电极，其在上述电流路径的上述一端沿着与上述电流路径交叉的方向离开上述第1主电极而配设；控制电极，其围绕上述第3主电极的周围而配设；以及上述第2主电极。
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