[发明专利]硫掺杂石墨烯薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种硫掺杂石墨烯薄膜的制备方法。本发明制备硫掺杂石墨烯薄膜的方法同样是采用化学气相沉积法，将金属衬底放入反应器中在加热和还原保护性气氛下对金属衬底进行加热预处理，然后将金属衬底加热到900℃～1000℃，停止通入还原保护性气体，并使容器内的真空度达10-2～10-3乇，再将混合的液态碳源与硫源以气态引入容器，在金属衬底上生长出所要求的硫掺杂石墨烯薄膜。然后进行后处理并将硫掺杂石墨烯薄膜转移到基底材料上。

主权项

一种硫掺杂石墨烯薄膜的制备方法，采用化学气相沉积法制备，其特征是将金属衬底放入反应器中，通入还原保护性气体将反应器内的气体完全排出，并在400℃～500℃和还原保护性气氛下对金属衬底进行加热预处理，再将金属衬底加热到900℃～1000℃，停止通入还原性气体，并使容器内的真空度达10‑2～10‑3乇，再将混合的液态碳源与硫源以气态引入容器内，在金属衬底上生长出所要求的硫掺杂石墨烯薄膜后迅速将反应器内的温度冷却至800℃，停止通入碳源与硫源，并引入还原保护性气体，继续冷却直至反应器内的温度到室温，取出硫掺杂石墨烯薄膜的金属衬底，在其表面上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯薄膜，用可溶解金属衬底的溶液将金属衬底溶解去除，再将硫掺杂石墨烯薄膜和聚甲基丙烯酸甲酯薄膜的复合膜转移到基底材料上，用溶液去除聚甲基丙烯酸甲酯薄膜，得到硫掺杂石墨烯薄膜。