[发明专利]一种MWT太阳能电池的制备方法有效
| 申请号： | 201110096515.2 | 申请日： | 2011-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN102208486A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 周艳芳;朱升宾;于海斌;曹兵;张红玲;班文政;吴兰峰;朴松源;单伟 | 申请（专利权）人： | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波 |
| 地址： | 225131 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种MWT太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)使用p型晶体硅基体，进行磷扩散；(2)使用化学溶液刻蚀晶体硅基体的一面，去除扩磷层形成抛光面；(3)在晶体硅基体的另一面沉积钝化减反射膜形成受光面；(4)利用激光在晶体硅基体上制作导电通孔；(5)在抛光面上使用丝网将导电银浆填满导电通孔形成发射极接触电极；(6)在抛光面上使用丝网印刷铝浆形成基极接触电极；(7)在受光面印刷银接触栅线，并与导电通孔相连接；(8)经烧结形成金属与硅基体欧姆接触，完成太阳电池制作过程。本发明工艺流程简单而易操作，与当前光伏工业界广泛应用的太阳能电池生产线完全兼容，适合于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mwt 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MWT太阳能电池的制备方法，其特征是包括如下步骤：(1) 使用p型晶体硅基体，进行磷扩散；(2) 使用化学溶液刻蚀晶体硅基体的一面，去除扩磷层形成抛光面；(3) 在晶体硅基体的另一面沉积钝化减反射膜形成受光面；(4) 利用激光在晶体硅基体上制作导电通孔；(5) 在抛光面上使用丝网印刷将导电银浆填满导电通孔形成发射极接触电极；(6) 在抛光面上使用丝网印刷铝浆形成基极接触电极；(7) 在受光面印刷银接触栅线，并与导电通孔相连接；(8) 经烧结形成金属与硅基体欧姆接触，完成太阳电池制作过程。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶澳（扬州）太阳能科技有限公司，未经晶澳（扬州）太阳能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110096515.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
