[发明专利]一种多LD密集阵列无效
| 申请号： | 201110096552.3 | 申请日： | 2011-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN102201649A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 李松柏;史俊锋;孙鑫鹏 | 申请（专利权）人： | 中国兵器装备研究院 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/024;H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 张利萍 |
| 地址： | 100089 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多LD密集阵列，包括密集排列的多个柱台，每个柱台上固定一个LD，其中每个柱台均为倾斜柱台，上表面的倾斜方向与LD的电源指示方向或尾纤输出方向相同。优选的，本发明采用的柱台为二维倾斜柱台，柱台上表面沿着两个不同的方向倾斜；其中一个上仰倾角的方向与LD的电源指示方向相同，另一个上仰倾角的方向与LD的尾纤输出方向相同。本发明具有以下优点：(1)LD电极与输出尾纤更加便于整理。(2)充分利用空间。(3)与阶梯状阵列相比降低了阵列的高度，并可以保证冷却效果。(4)灵活性强，可以按照不同需要，选择单独制作并单独使用、单独制作并列阵使用、一体制作并一体使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ld 密集 阵列 | ||
【主权项】：
一种多LD密集阵列，包括密集排列的多个柱台，每个柱台上固定一个LD，其特征在于，每个柱台均为倾斜柱台，上表面的倾斜方向与LD的电源指示方向或尾纤输出方向相同。
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