[发明专利]存储阵列局部位线缺陷的检测方法无效
| 申请号： | 201110096625.9 | 申请日： | 2011-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102737726A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 黄胤津;黄楚邦;张逸凡;刘正淇;杨长展;李敏光 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于检测存储阵列的制造上的缺陷的方法，包括利用检测电路以提供一选择电压，选择电压作为存储阵列的位线的漏极偏压以进行读取操作，存储阵列设置以利用第一电压作为漏极偏压，且选择电压高于第一电压，并且，判断是否存在一漏电流响应于选择电压作为漏极偏压，此漏电流的存在表示存储阵列的位线以及存储阵列的另一元件之间的制造缺陷。此外，也提供一相对应于此检测方法的检测装置。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 阵列 局部 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种检测一存储阵列中制造缺陷的方法，其特征在于，包括：利用一检测电路以提供一选择电压，该选择电压作为该存储阵列的一位线的一漏极偏压，该存储阵列利用一第一电压作为该漏极偏压以进行一读取操作，该选择电压高于该第一电压；以及判断是否存在一漏电流，以响应于该选择电压作为该漏极偏压，该漏电流的存在表示该存储阵列的该位线与另一元件间具有一制造缺陷。
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