[发明专利]一种由WO3制备金属钨的方法

摘要

一种由WO3制备金属钨的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在脉冲直流电的作用下，由WO3一步电沉积出钨的问题。特别之处是：它以NaCl、KCl、NaWO4构成的三组元为介质，其中NaCl、KCl、NaWO4三组元的摩尔比为：2:2:0.01～2:2:0.05，加入占熔盐介质质量百分数的10％~20%的粉状WO3；经过预电解除杂，在电沉积温度650℃～750℃、电沉积时间1～3小时、电流密度为300A/m2～600A/m2电沉积出纯钨。本发明其特点如下：1.构成熔盐的组元为常用廉价药剂，易获得，成本低，且消耗少；2.生产工艺流程短，操作简单、参数的控制范围宽，容易实现；3.电沉积温度较低，熔盐不挥发；4.可保持熔盐的成分不随电沉积时间的延长而发生变化，从而保证电沉积过程的稳定。本发明方法在钨生产和应用中具有很好的前景。

主权项

一种由WO3制备金属钨的方法，其特征在于：它由下述步骤组成：a. 配制熔盐介质：选取由NaCl、KCl、Na2WO4构成的三组元为介质，其中NaCl、KCl、Na2WO4三组元的摩尔比2:2:0.01～2:2:0.05，在三组元中加入占熔盐介质质量百分数的10％~20％的粉状WiO3，把上述四种物质混均，盛入坩锅，放入电炉内升温到650℃~750℃，恒温10分钟；b. 预电解除杂：放入Cu电极，在温度650℃～750℃、脉冲电流给电、且平均电流密度为200A/m2～300A/m2的条件下，预沉积20分钟除杂； c. 电沉积W：取出Cu电极，插入W电极，在温度650℃～750℃、脉冲电流给电、且平均电流密为300A/m2～600A/m2的条件下，电沉积1～3小时，得到纯W。