[发明专利]一种槽型功率MOSFET器件

摘要

本发明公开了一种槽型功率MOSFET器件，涉及半导体功率器件和射频功率器件技术领域。通过N+槽区纵向穿过衬底直到器件底部，将表面N+源区、源极金属场板和底部N+源接触区连通形成等势体，源极从器件底部引出。这不仅消除了源极的外延线电感，降低源极串联电阻，而且提供良好的导热通道利于器件的双面冷却。同时，延伸的源金属场板覆盖于轻掺杂漏区（LDD）之上，降低栅极末端的高电场峰值，并辅助轻掺杂漏区（LDD）耗尽降低栅漏电容。轻掺杂漏区、源金属场板及下方P-衬底的电荷平衡作用，使轻掺杂漏区的载流子浓度提高，器件导通电阻降至最低。本发明在保证低的比导通电阻的前提下降低了栅电荷，从而使得器件具有更低的功耗，具有良好的散热特性。

主权项

一种槽型功率MOSFET器件，包括P‑衬底，P‑衬底顶部的N+源区、P阱区、轻掺杂漏区和N+漏区，P‑衬底部的N+源接触区，栅氧化物、场氧化物、表面源极金属场板、隔离氧化物，以及源电极、漏电极和栅电极，其特征在于：还包括N+槽区，N+槽区的纵向长度穿过P‑衬底直到器件底部的N+源接触区，将表面的N+源区、表面源极金属场板和底部的N+源接触区连通形成等势体，所述背面N+源接触区引出端为源电极；所述的表面源极金属场板覆盖于所述的轻掺杂漏区之上，并覆盖于除栅电极和漏电极区域以外的整个器件表面。