[发明专利]场效应晶体管手性传感器无效
| 申请号： | 201110097714.5 | 申请日： | 2011-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN102749379A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 宫建茹;吴春卉 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种场效应晶体管手性传感器，包括一个或多个场效应晶体管，该场效应晶体管包括：基底，用作栅电极；基底上的栅绝缘层；栅绝缘层上的硅纳米线；源电极和漏电极，位于栅绝缘层上，并分别与硅纳米线接触；手性修饰分子层，修饰在硅纳米线表面。本发明还提供一种场效应晶体管手性传感器的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 手性 传感器 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管手性传感器，包括一个或多个场效应晶体管，该场效应晶体管包括：基底，用作栅电极；基底上的栅绝缘层；栅绝缘层上的硅纳米线；源电极和漏电极，位于栅绝缘层上，并分别与硅纳米线接触；手性修饰分子层，修饰在硅纳米线表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国家纳米科学中心，未经国家纳米科学中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110097714.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：快速自适应码率控制方法
- 下一篇：内燃动力抽真空装置
