[发明专利]半导体处理设备有效
| 申请号： | 201110097992.0 | 申请日： | 2011-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN102751170A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张鹏 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 黄德海 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体处理设备，包括：真空腔室，包括进气口；以及充气气路，其中所述充气气路包括：快速充气通路、慢速充气通路以及辅助充气通路，其中，所述快速充气通路、慢速充气通路和辅助充气通路并联连接在所述供气源与真空腔室之间且所述快速充气通路、慢速充气通路和辅助充气通路中的至少一个可导通；以及所述辅助充气通路上设置有气体储存单元，所述气体储存单元用于储存气体，所述辅助充气通路可将所述气体储存单元中储存的气体输送至所述真空腔室，用于辅助所述快速充气气路和所述慢速充气气路的充气。在本发明中，可以提供多种方式对真空腔室充气，工作方式灵活，适应能力强，此外，该半导体设备的调试方便、维护成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】：
一种半导体处理设备，其特征在于，包括：真空腔室，所述真空腔室包括进气口；以及充气气路，所述充气气路与所述真空腔室的进气口相连，用于向所述真空腔室充气，其中所述充气气路包括：快速充气通路、慢速充气通路以及辅助充气通路，其中，所述快速充气通路、慢速充气通路和辅助充气通路并联连接在所述供气源与真空腔室之间且所述快速充气通路、慢速充气通路和辅助充气通路中的至少一个可导通；以及所述辅助充气通路上设置有气体储存单元，所述气体储存单元用于储存气体，所述辅助充气通路可将所述气体储存单元中储存的气体输送至所述真空腔室，用于辅助所述快速充气气路和所述慢速充气气路的充气。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110097992.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发动机消声器
- 下一篇：一种矿山斜巷施工用安全护栏
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
