[发明专利]发光二极管结构无效
| 申请号： | 201110098792.7 | 申请日： | 2011-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN102751393A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 赖彦霖;王信介;黄吉丰;林京亮;李允立 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管结构，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一导电层以及第二导电层。发光层配置于第一型半导体层上。发光层包括数个能障层以及数个量子井层，其中这些量子井层分别夹设于这些能障层之间。第二型半导体层配置于发光层上，其中最靠近第二型半导体层的量子井层的厚度至少大于等于其他量子井层的平均厚度的1.1倍。第一导电层电性连接第一型半导体层。第二导电层电性连接第二型半导体层。该发光二极管结构可提升发光二极管结构的整体发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管结构，包括：第一型半导体层；发光层，配置于该第一型半导体层上，且该发光层包括数个能障层以及数个量子井层，其中该些量子井层分别夹设于该些能障层之间；第二型半导体层，配置于该发光层上，其中最靠近该第二型半导体层的该量子井层的厚度至少大于等于其他该些量子井层的平均厚度的1.1倍；第一导电层，电性连接该第一型半导体层；以及第二导电层，电性连接该第二型半导体层。
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