[发明专利]一种超材料有效
| 申请号： | 201110099254.X | 申请日： | 2011-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN102744922A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 刘若鹏;栾琳;赵治亚;孙乐义;寇超锋 | 申请（专利权）人： | 深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司 |
| 主分类号： | B32B5/14 | 分类号： | B32B5/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超材料，该超材料包括至少一个超材料片层，所述至少一个超材料片层包括多个超材料子片层，每个所述多个超材料子片层具有一介电常数变化范围及一磁导率变化范围，并且所述多个超材料子片层中一个超材料子片层的介电常数的变化范围及磁导率变化范围与所述多个超材料子片层中其他超材料子片层中的至少一个的介电常数变化范围及磁导率变化范围部分重合。本发明提供的超材料，该超材料具有逐渐变化的介电常数及逐渐变化的磁导率。从而克服了在同一超材料子片层上实现较大范围内介电常数连续变化的困难并且结构清楚，加工工艺简单，满足了不同情况下对超材料介电常数及磁导率的要求。应用前景广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 材料 | ||
【主权项】：
一种超材料，其特征在于，所述超材料包括至少一个超材料片层，所述至少一个超材料片层包括多个超材料子片层，每个所述多个超材料子片层具有一介电常数变化范围及一磁导率变化范围，并且所述多个超材料子片层中一个超材料子片层的介电常数的变化范围及磁导率变化范围与所述多个超材料子片层中其他超材料子片层中的至少一个的介电常数变化范围及磁导率变化范围部分重合。
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