[发明专利]偏折电磁波的非均匀超材料有效
申请号: | 201110099375.4 | 申请日: | 2011-04-20 |
公开(公告)号: | CN102751587A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 刘若鹏;季春霖;栾琳;王今金 | 申请(专利权)人: | 深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司 |
主分类号: | H01Q15/08 | 分类号: | H01Q15/08;B82Y30/00 |
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地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明实施例涉及一种偏折电磁波的非均匀超材料,包括由至少一个超材料片层构成的功能层,超材料片层包括基板和多个附着在基板上的人造微结构。功能层分成多个带状区域,在每个带状区域内功能层的折射率连续增大且至少存在两个相邻的第一区域和第二区域,第一区域的折射率从n1连续增大到n2,第二区域的折射率从n3连续增大到n4,且满足n2>n3。本发明通过在超材料上设置多个区域,每个区域内的折射率连续变化可实现电磁波在该区域内的缓慢偏折,电磁波经过多个区域可实现预定的偏折方向。本发明的非均匀超材料可方便灵活的实现电磁波的偏折,其制造工艺简单,方便大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 电磁波 均匀 材料 | ||
【主权项】:
一种偏折电磁波的非均匀超材料,包括由至少一个超材料片层构成的功能层,所述超材料片层包括基板和多个附着在所述基板上的人造微结构,其特征在于,所述功能层分成多个带状区域,所有带状区域内的折射率均沿同一方向连续增大且至少存在两个相邻的第一区域和第二区域,第一区域的折射率从n1连续增大到n2,第二区域的折射率从n3连续增大到n4,且满足n2>n3。
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