[发明专利]掩模、容器和制造装置有效
申请号: | 201110099753.9 | 申请日: | 2004-04-12 |
公开(公告)号: | CN102174688A | 公开(公告)日: | 2011-09-07 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;坂田淳一郎;桑原秀明 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/24;H01L21/203;H01L21/308;H05B33/10 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 吴娟;庞立志 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 掩模、容器和制造装置通过对大面积基板进行选择性的蒸镀,本发明提供了掩模精度高的大型掩模。本发明将掩模本体固定在固定位置处,该固定位置是设置在通过掩模框架的热膨胀中心的线上的。还有,在本发明中,使掩模本体和基板固定,通过使蒸镀源沿X方向或Y方向移动来进行蒸镀。这种使蒸镀源沿X方向或Y方向移动的方法适合于大型基板的蒸镀。 | ||
搜索关键词: | 掩模 容器 制造 装置 | ||
【主权项】:
用于制造发光装置的方法,其包括:在蒸镀源托座中设置具有贮存第一蒸镀材料的第一开口的第一容器和具有贮存第二蒸镀材料的第二开口的第二容器;加热所述第一容器和所述第二容器;和在混合所述第一蒸镀材料和所述第二蒸镀材料时,在基板上共蒸镀包含所述第一蒸镀材料和所述第二蒸镀材料的EL层,其中以不同的方向设置所述第一开口和所述第二开口,其中所述第一蒸镀材料的蒸镀中心和所述第二蒸镀材料的蒸镀中心是交叉的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110099753.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类