[发明专利]半导体背面用切割带集成膜无效
| 申请号： | 201110099960.4 | 申请日： | 2011-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN102220092A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 高本尚英;志贺豪士;浅井文辉;山本晃好;高桥智一 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;H01L21/68;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体背面用切割带集成膜，其包括：切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上的压敏粘合剂层；和倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘合剂层上，其中所述压敏粘合剂层的至少一部分已通过用放射线照射而预先固化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 背面 切割 集成 | ||
【主权项】：
一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上的压敏粘合剂层；和倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘合剂层上，其中所述压敏粘合剂层的至少一部分已通过用放射线照射而预先固化。
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