[发明专利]ZnO纳米带阵列的制备方法无效
| 申请号： | 201110100138.5 | 申请日： | 2011-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN102181911A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 蒋武锋;郝素菊;凌云汉 | 申请（专利权）人： | 河北联合大学 |
| 主分类号： | C25D11/34 | 分类号： | C25D11/34;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 石家庄冀科专利商标事务所有限公司 13108 | 代理人： | 李桂芳;曹淑敏 |
| 地址： | 063009 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ZnO纳米带阵列的制备方法，其以Sn-Zn合金为阳极，在H2C2O4溶液进行电化学氧化；氧化后的合金在空气中煅烧，冷却后即得ZnO纳米带阵列。本方法具有简单易行的特点；且制备设备廉价、工艺参数容易控制；得到的ZnO纳米带与基底结合牢固。 | ||
| 搜索关键词： | zno 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种ZnO纳米带阵列的制备方法，其特征在于：以Sn‑Zn合金为阳极，在H2C2O4溶液进行电化学氧化；氧化后的合金在空气中煅烧，冷却后即得ZnO纳米带阵列。
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