[发明专利]含抑制剂的W-C-Co粉末及其硬质合金的制备方法无效
| 申请号： | 201110100182.6 | 申请日： | 2011-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN102181679A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 朱敏;施振华;曾美琴;李北;鲍贤勇 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C22C1/05 | 分类号： | C22C1/05;C22C29/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种含抑制剂的W-C-Co粉末及其硬质合金的制备方法，步骤为：采用介质阻挡放电等离子体辅助高能球磨方法对W、C、Co、VC（或V2O5）各原料及额外补碳进行球磨，得到混合粉末；混合粉末压制成生坯；生坯在热源环境烧结制备W-C-Co硬质合金。各原料按照WC-XCo-YV2O5或者WC-XCo-YVC进行配比；其中，X的取值范围是3≤X≤20，Y的取值范围是0.09≤Y≤2.4，所述X、Y均为重量百分比。额外补碳与C原料的质量比为7.5％～15％。本发明可缩短硬质合金制备过程的生产周期，简化工艺过程，降低能耗并减小杂质引入机会，并能有效抑制WC晶粒长大，提高硬质合金的力学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制剂 co 粉末 及其 硬质合金 制备 方法 | ||
【主权项】：
含抑制剂的W‑C‑Co粉末及其硬质合金的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）采用介质阻挡放电等离子体辅助高能球磨的方法，将W、C、Co、晶粒长大抑制剂各原料以及额外补碳的混合粉末进行球磨，得到含晶粒长大抑制剂的W‑C‑Co复合粉末； 所述晶粒长大抑制剂为VC或者V2O5；（2）将所述含晶粒长大抑制剂的W‑C‑Co复合粉末压制成形，得到生坯；（3）将所述生坯放入热源环境中烧结制备W‑C‑Co硬质合金。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110100182.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
