[发明专利]一种氧化物纳米晶晶体的制备方法

摘要

本发明公开了一种氧化物纳米晶晶体的制备方法，以可溶性高价金属阳离子进行水解，金属氧化物阴离子不水解作为保护剂形成金属氧化物纳米晶，再通过自组装形成纳米晶粒子有序排列的三维纳米晶晶体。本发明的氧化物纳米晶晶体的制备方法，提供了一种低成本，简单化，无毒无污染的方法，用金属阳离子水解形成氧化物纳米粒子，再组装成三维有序结构的新型光电材料。由于是纯无机物进行反应，产物导电性能大大提高，产生特殊的光电性能。

主权项

一种氧化物纳米晶晶体材料的制备方法，其特征在于，具体步骤为：步骤1)原料的准备：金属阳离子溶液：将可溶性高价金属盐溶解在蒸馏水中，配成浓度为1‑5mol/L的金属阳离子溶液；金属氧化物阴离子溶液：将可溶性金属氧化物阴离子盐溶解在蒸馏水中，配成0.1‑25mol/L的金属氧化物阴离子溶液；步骤2)在金属阳离子溶液中滴入少量酸；步骤3)将金属氧化物阴离子溶液和由步骤2)制得的溶液混合，用氨水调节pH值至2‑7，同时对其进行搅拌，使之充分反应生成氧化物纳米粒子；步骤4)将由步骤3)得到的氧化物纳米粒子进行离心分离，得到沉淀物；步骤5)用蒸馏水洗涤由步骤4)得到的沉淀物，去除没有参加反应的可溶性盐，得到前驱物；步骤6)将由步骤5)得到的前驱物在150℃‑600℃的温度下焙烧，进行组装，最终获得金属氧化物纳米晶体晶体。