[发明专利]荧光体的制造方法有效

专利信息
申请号: 201110100509.X 申请日: 2006-03-20
公开(公告)号: CN102226085A 公开(公告)日: 2011-10-26
发明(设计)人: 广崎尚登 申请(专利权)人: 独立行政法人物质·材料研究机构
主分类号: C09K11/80 分类号: C09K11/80
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 钟晶;於毓桢
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种荧光体的制造方法,所述荧光体为在具有β型Si3N4晶体结构的晶体中固溶Eu的赛纶晶体。所述方法包含将氮化硅粉末、氮化铝粉末和氧化铕粉末的混合物在氮气气氛中、在1820~2200℃的温度范围内进行烧成的烧成工序;所述混合物的比例由fSi3N4·gAlN·hEu2O3的摩尔组成式表示,且f、g和h满足f+g+h=1、0.04≤g≤0.14和0.002≤h≤0.006的关系式。
搜索关键词: 荧光 制造 方法
【主权项】:
一种荧光体的制造方法,所述荧光体为在具有β型Si3N4晶体结构的晶体中固溶Eu的赛纶晶体,该制造方法的特征在于,包含将氮化硅粉末、氮化铝粉末和氧化铕粉末的混合物在氮气气氛中、在1820~2200℃的温度范围内进行烧成的烧成工序,所述混合物的比例由fSi3N4·gAlN·hEu2O3的摩尔组成式表示,且f、g和h满足f+g+h=1、0.04≤g≤0.14和0.002≤h≤0.006的关系式。
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