[发明专利]荧光体的制造方法有效
申请号: | 201110100509.X | 申请日: | 2006-03-20 |
公开(公告)号: | CN102226085A | 公开(公告)日: | 2011-10-26 |
发明(设计)人: | 广崎尚登 | 申请(专利权)人: | 独立行政法人物质·材料研究机构 |
主分类号: | C09K11/80 | 分类号: | C09K11/80 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;於毓桢 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种荧光体的制造方法,所述荧光体为在具有β型Si3N4晶体结构的晶体中固溶Eu的赛纶晶体。所述方法包含将氮化硅粉末、氮化铝粉末和氧化铕粉末的混合物在氮气气氛中、在1820~2200℃的温度范围内进行烧成的烧成工序;所述混合物的比例由fSi3N4·gAlN·hEu2O3的摩尔组成式表示,且f、g和h满足f+g+h=1、0.04≤g≤0.14和0.002≤h≤0.006的关系式。 | ||
搜索关键词: | 荧光 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种荧光体的制造方法,所述荧光体为在具有β型Si3N4晶体结构的晶体中固溶Eu的赛纶晶体,该制造方法的特征在于,包含将氮化硅粉末、氮化铝粉末和氧化铕粉末的混合物在氮气气氛中、在1820~2200℃的温度范围内进行烧成的烧成工序,所述混合物的比例由fSi3N4·gAlN·hEu2O3的摩尔组成式表示,且f、g和h满足f+g+h=1、0.04≤g≤0.14和0.002≤h≤0.006的关系式。
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