[发明专利]测量高功率激光二极管阵列垂直发散角的方法及装置有效
| 申请号： | 201110100635.5 | 申请日： | 2011-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN102539116A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 樊仲维;朱光 | 申请（专利权）人： | 北京国科世纪激光技术有限公司 |
| 主分类号： | G01M11/02 | 分类号： | G01M11/02;G01J3/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区西小*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种测量高功率激光二极管阵列垂直发散角的装置及方法，其中的方法包括：校准测量高功率激光二极管阵列垂直发散角的装置；测量垂直于激光二极管阵列发光面的光谱强度，且通过对相同光谱强度下旋转盘不同的旋转角度进行差值运算，进而获得高功率激光二极管阵列垂直发散角。本发明的优点在于测量装置具有准直系统，能够准确的对激光二极管阵列的垂直发散角和光谱特性进行测量。另外，本发明引入了水冷系统，保证了激光二极管在正常温度下工作。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 功率 激光二极管 阵列 垂直 发散 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种测量高功率激光二极管阵列垂直发散角的方法，其特征在于，包括以下步骤：校准测量高功率激光二极管阵列垂直发散角的装置；测量垂直于激光二极管阵列发光面的光谱强度，且通过对相同光谱强度下旋转盘不同旋转角度之间进行差值运算，进而获得高功率激光二极管阵列垂直发散角。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京国科世纪激光技术有限公司，未经北京国科世纪激光技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110100635.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：液化石油气瓶阀连接片装配工作台
- 下一篇：面板装饰条压紧装置
