[发明专利]一种提高非晶硅薄膜电池弱光响应的方法

摘要

本发明公开了一种提高非晶硅薄膜电池弱光响应的方法，属于半导体领域，现有P层a-SiC与I层a-Si的异质结造成P/I界面的应力集中和界面缺陷密度，本发明是在用包含H2气体、SiH4气体的原料通过SiH4气体的分解反应沉积P层和I层时进行碳元素掺杂。碳元素掺杂是在沉积原料中掺杂CH4气体。通过将I层的a-Si层通过掺碳的方式转变为a-SiC层，从而将P层a-SiC/I层a-Si的异质结转变为P层a-SiC/I层a-SiC的同质结，消除了异质结，从而极大程度地消除了界面的应力集中和缺陷密度，非晶硅薄膜电池的弱光响应最终也得到了显著的提高。

主权项

一种提高非晶硅薄膜电池弱光响应的方法，其特征是在用包含H2气体、SiH4气体的原料通过SiH4气体的分解反应沉积P层和I层时进行碳元素掺杂。