[发明专利]基于一维光子晶体缺陷模的光纤温度探测器

摘要

一种基于一维光子晶体缺陷模的光纤温度探测器，探测器光源位于第一传输光纤左侧，光纤耦合器位于第一传输光纤右侧，第二传输光纤位于光纤耦合器的右端，一维光子晶体位于第二传输光纤右端，第三传输光纤位于光纤耦合器左侧，并接收由一维光子晶体反射且经由第二传输光纤和光纤耦合器传输至第三传输光纤处的探测光，半导体光功率计位于第三传输光纤的左侧，并测定该第三传输光纤输出光的功率；所述的一维光子晶体为硅和二氧化硅在激光传输方向上交替排列组成，在其中一层硅介质层引入缺陷模；各个介质层的光学厚度相等，而引入缺陷模的硅介质层的厚度是各个介质层光学厚度的2-3倍。本发明不仅结构简单，体积小巧，而且测量精度高，成本低。

主权项

一种基于一维光子晶体缺陷模的光纤温度探测器，包括有探测器光源、一维光子晶体、光纤耦合器、第一传输光纤、第二传输光纤、第三传输光纤和半导体光功率计；其特征在于：A)所述探测器光源位于第一传输光纤左侧，并且出射的激光直接耦合入第一传输光纤中，所述光纤耦合器位于第一传输光纤右侧，探测光通过第一传输光纤后到达光纤耦合器，所述第二传输光纤位于光纤耦合器的右端，并且探测光从光纤耦合器出射后直接进入第二传输光纤，所述一维光子晶体位于第二传输光纤右端，并且探测光由第二传输光纤直接进入一维光子晶体，所述第三传输光纤位于光纤耦合器左侧，并接收由一维光子晶体反射且经由第二传输光纤和光纤耦合器传输至第三传输光纤处的探测光，所述半导体光功率计位于第三传输光纤的左侧，并测定该第三传输光纤输出光的功率；B)所述的一维光子晶体为硅和二氧化硅在激光传输方向上交替排列组成，在其中一层硅介质层引入缺陷模；C)除引入缺陷模的硅介质层外，各个介质层的光学厚度相等，而引入缺陷模的硅介质层的厚度是各个介质层光学厚度的2 3倍。