[发明专利]一种在晶体硅表面刻蚀加工纳米图案的方法无效
| 申请号： | 201110100954.6 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102198927A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 杜祖亮;吴国运;蒋晓红;王书杰 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 刘建芳 |
| 地址： | 47500*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米图案加工技术领域，具体涉及一种在晶体硅表面刻蚀加工纳米图案的方法，该方法利用原子力显微镜直接刻蚀加工晶体硅表面。本发明采用原子力显微镜直接刻蚀加工晶体硅表面，其加工过程不受环境的影响，比传统的光刻、电子束刻蚀等方法刻蚀精度要高，操作方便，无须后续处理，能直接在位观测加工结果，本发明方法条件要求低，操作步骤简单，可操作性强，重复性好，加工精度高，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 表面 刻蚀 加工 纳米 图案 方法 | ||
【主权项】：
一种在晶体硅表面刻蚀加工纳米图案的方法，其特征在于：利用原子力显微镜直接刻蚀加工晶体硅表面。
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