[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明装置有效
| 申请号： | 201110101253.4 | 申请日： | 2011-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN102255014A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 丁焕熙 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及发光器件、发光器件封装以及照明装置。发光器件包括：支撑构件；在支撑构件上的发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及在第二导电类型半导体层和第一导电类型半导体层之间的有源层；第一氮化物半导体层，该第一氮化物半导体层设置在第二导电类型半导体层上；第二氮化物半导体层，该第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上并且包括不平坦结构；以及第一电极焊盘，该第一电极焊盘设置在发光结构上，其中第二氮化物半导体层具有开口，第一电极焊盘通过开口接触第一氮化物半导体层，并且第一氮化物半导体层具有比第二氮化物半导体层的功函数小的功函数。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 封装 以及 照明 装置 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：支撑构件；在所述支撑构件上的发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第二导电类型半导体层和所述第一导电类型半导体层之间的有源层；第一氮化物半导体层，所述第一氮化物半导体层设置在所述第二导电类型半导体层上；第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层设置在所述第一氮化物半导体层上并且包括不平坦结构；以及第一电极焊盘，所述第一电极焊盘设置在所述发光结构上，其中所述第二氮化物半导体层具有开口，所述第一电极焊盘通过所述开口与所述第一氮化物半导体层接触，并且所述第一氮化物半导体层具有比所述第二氮化物半导体层的功函数小的功函数。
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