[发明专利]一种烧结体氧化镁靶材的杂质控制方法无效
| 申请号： | 201110101477.5 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102198954A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 林宇;王宁会;穆卓艺;潘忠艺;张百平 | 申请（专利权）人： | 辽宁中大超导材料有限公司 |
| 主分类号： | C01F5/02 | 分类号： | C01F5/02 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人： | 修德金 |
| 地址： | 115000 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种烧结体氧化镁靶材的杂质控制方法。该方法以氧化镁、氢氧化镁、碱式碳酸镁或碳酸镁中的一种或几种为原料，并将原料与含钠或钾的化合物进行混合后，在低温下进行烧结，得到氧化镁靶材。本发明的效果和益处是，通过杂质的控制，在高纯的基础上进一步提高粉体纯度，提升了靶材的品质，又因为氧化镁保护膜质量是决定等离子电视机能耗和使用寿命的重要参数，该杂质控制方法又间接提高了等离子电视机的质量。本发明具有很好的经济价值和社会价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 烧结 氧化镁 杂质 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种烧结体氧化镁靶材的杂质控制方法，其特征在于，以氧化镁、氢氧化镁、碱式碳酸镁或碳酸镁中的一种或几种为原料，并将原料与含钠或钾的化合物进行混合后，在低温下进行烧结，得到氧化镁靶材。
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