[发明专利]一种AM60镁合金表面厚保护层处理方法无效
| 申请号： | 201110101496.8 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102181905A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 杜云慧;张鹏;刘汉武 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | C25D11/30 | 分类号： | C25D11/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100044 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AM60镁合金表面厚保护层处理方法，属于AM60镁合金表面厚保护层处理研究领域，本发明在交流等离子体微弧氧化处理方法基础上，通过向处理液中喷入氧气以增强和改善对保护层的烧结作用，并在氟化钾浓度为921～923g/L、氢氧化钾浓度为346～348g/L、硅酸钠浓度为85～87g/L、工频交流电压为79～81V、每升处理液氧气喷入量为0.006～0.008L/s条件下，对AM60镁合金进行104～128秒的交流等离子体微弧氧化表面处理，可在AM60镁合金表面形成55～65μm厚的组织致密、均匀的厚保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 am60 镁合金 表面 保护层 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种AM60镁合金表面厚保护层处理方法，采用交流等离子体微弧氧化处理方法对AM60镁合金进行表面处理，其特征在于，在进行表面处理前1分30秒开始向处理液中喷入氧气，并在氟化钾浓度为921～923g/L、氢氧化钾浓度为346～348g/L、硅酸钠浓度为85～87g/L、工频交流电压为79～81V、每升处理液氧气喷入量为0.006～0.008L/s条件下，对AM60镁合金进行104～128秒的交流等离子体微弧氧化表面处理。
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