[发明专利]纳米晶二氧化锡锂离子电池负极材料的低温制备方法有效

专利信息
申请号: 201110101600.3 申请日: 2011-04-22
公开(公告)号: CN102229439A 公开(公告)日: 2011-11-02
发明(设计)人: 谷长栋;麦永津;尤益辉;周俊平;涂江平 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C01G19/02 分类号: C01G19/02;B82Y40/00
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 韩介梅
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及纳米晶结构二氧化锡锂离子电池负极材料的低温制备方法,该方法采用氯化胆碱基深共熔溶剂型离子液体作为反应溶剂,SnCl2·2H2O和水合肼作为反应物,得到晶粒尺寸小于10nm的二氧化锡锂离子电池负极材料。本发明方法所用原料易得,制备工艺简单。室温下制备的纳米SnO2粉体无需高温煅烧处理,对设备要求低,耗时少。制得的纳米晶结构二氧化锡锂离子电池负极材料具有较高的可逆容量和循环性能。本发明方法不受地域限制,具有节能环保等优点,适合大规模工业生产。
搜索关键词: 纳米 氧化 锂离子电池 负极 材料 低温 制备 方法
【主权项】:
纳米晶结构二氧化锡锂离子电池负极材料的低温制备方法,其步骤如下:(1)将SnCl2 ·2H2O溶解在氯化胆碱基深共熔溶剂中,搅拌均匀,配制成浓度为10.0~50.0 g/L的反应溶液;(2)搅拌下,在上述每升反应溶液中以0.5~3 ml/min的速度加入20~60 ml水合肼,室温下,反应1~3 h后离心分离,依次用甲醇和去离子水清洗沉淀产物,然后在40~100°C下干燥,得到纳米晶结构二氧化锡锂离子电池负极材料。
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