[发明专利]一种AM60镁合金表面薄层厚度均匀处理方法无效
申请号: | 201110101664.3 | 申请日: | 2011-04-22 |
公开(公告)号: | CN102140665A | 公开(公告)日: | 2011-08-03 |
发明(设计)人: | 杜云慧;张鹏;刘汉武;卢小鹏 | 申请(专利权)人: | 北京交通大学 |
主分类号: | C25D11/30 | 分类号: | C25D11/30 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100044 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种AM60镁合金表面薄层厚度均匀处理方法,属于AM60镁合金表面薄层厚度均匀处理研究领域,本发明在交流等离子体微弧氧化处理方法基础上,通过向处理液中喷入氧气以提高处理液与镁合金反应的均匀性,并在氟化钾浓度为903~905g/L、氢氧化钾浓度为365~367g/L、硅酸钠浓度为118~120g/L、工频交流电压为65~67V、每升处理液氧气喷入量为0.006~0.009L/s条件下,对AM60镁合金进行52~70秒的交流等离子体微弧氧化表面处理,可在AM60镁合金表面形成厚度均匀的8~14μm厚的保护薄层。 | ||
搜索关键词: | 一种 am60 镁合金 表面 薄层 厚度 均匀 处理 方法 | ||
【主权项】:
一种AM60镁合金表面薄层厚度均匀处理方法,采用交流等离子体微弧氧化处理方法对AM60镁合金进行表面处理,其特征在于,在进行表面处理前1分30秒开始向处理液中喷入氧气,并在氟化钾浓度为903~905g/L、氢氧化钾浓度为365~367g/L、硅酸钠浓度为118~120g/L、工频交流电压为65~67V、每升处理液氧气喷入量为0.006~0.009L/s条件下,对AM60镁合金进行52~70秒的交流等离子体微弧氧化表面处理。
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