[发明专利]一种图形化衬底有效
申请号: | 201110102031.4 | 申请日: | 2011-04-22 |
公开(公告)号: | CN102201512A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 孙永健;张国义;贾传宇;于彤军;徐承龙;童玉珍;廉宗隅 | 申请(专利权)人: | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/26 | 分类号: | H01L33/26;H01L33/24 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 谭一兵 |
地址: | 523500 *** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种图形化衬底产品,利用异质材料制备周期性图形,该材料具备抗高温的特点,可以在800度以上的高温生长时不分解,可以以单晶体材料的形式存在。本发明包括底层的蓝宝石衬底和蓝宝石衬底表面的周期化图形,所述周期性图形完全由异质材料构成;或者所述周期性图形由异质材料和蓝宝石按照一定比例分层构成,图形上部为异质材料,而图形的下部即为蓝宝石。本发明打破了传统的图形化衬底仅利用蓝宝石衬底形成周期性图形的特点。而是使用了异于蓝宝石或GaN的异质材料在蓝宝石表面上制备了周期性的图形,已达到提高晶体生长质量,提高器件出光效率的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 图形 衬底 | ||
【主权项】:
一种图形化衬底,其特征在于:包括底层的蓝宝石衬底和蓝宝石衬底表面的周期化图形,所述周期性图形完全由异质材料构成;或者所述周期性图形由异质材料和蓝宝石按照一定比例分层构成,图形上部为异质材料,而图形的下部即为蓝宝石,异质材料与蓝宝石的比例为异质材料层厚:蓝宝石图形层厚 = 0.05~1:0~0.95,直到图形完全是异质材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市中镓半导体科技有限公司,未经东莞市中镓半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110102031.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。