[发明专利]非易失性电荷捕获型存储器件、其制备方法及应用

摘要

本发明涉及非易失性电荷捕获型存储器件、其制备方法及应用，制备方法操作简单、易于控制，所得存储器件中作为存储介质的纳米微晶分布均匀。所述非易失性电荷捕获型存储器件的制备方法包括以下步骤：a)在衬底表面形成隧穿层；b)在隧穿层上形成组成均匀的(ZrO2)x(M)1-x薄膜作为存储层，其中1＞x＞0.5，所述M为SiO2或Al2O3；c)在存储层上形成阻挡层；d)将以上制备的试样退火，使ZrO2纳米微晶从存储层中析出作为存储介质。本发明经过高温退火处理的手段，使ZrO2纳米微晶从存储层母相中析出，从而实现纳米微晶存储的效果。这种方法所得作为存储介质的纳米微晶均匀分布在非晶母相中。

主权项

一种非易失性电荷捕获型存储器件的制备方法，其特征在于包括以下步骤：a)在衬底表面形成隧穿层；b)在隧穿层上形成组成均匀的(ZrO2)x(M)1‑x薄膜作为存储层，其中1＞x＞0.5，所述M为SiO2或Al2O3；c)在存储层上形成阻挡层；d)将以上制备的试样在低于M熔点的温度下退火，使ZrO2纳米微晶从存储层中析出，并被非晶母相包围，所述ZrO2纳米微晶作为存储介质。