[发明专利]一种磁流体填充光子晶体光纤F-P磁场传感器无效

专利信息
申请号: 201110102799.1 申请日: 2011-04-25
公开(公告)号: CN102221679A 公开(公告)日: 2011-10-19
发明(设计)人: 赵勇;张亚男 申请(专利权)人: 东北大学
主分类号: G01R33/032 分类号: G01R33/032;G02B6/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 110819 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种磁流体填充光子晶体光纤F-P磁场传感器,本发明属于光纤传感技术领域。由宽带光源20、光纤耦合器21及其光纤链路(31、32、33、34)、折射率匹配液22、传感器探头23、电磁线圈18及其电流驱动系统19、光谱分析仪25、计算机24及连接电缆26和27组成。其特点是传感器探头由一段填充了磁流体13的空心光子晶体光纤12与单模光纤11熔接而成,在空心光子晶体光纤两端分别粘结部分反射膜14和全反射镜15,构成光纤F-P干涉腔结构;电磁线圈通入电流后产生的磁场使作为F-P干涉腔内介质的磁流体折射率发生变化,导致输出光谱变化而实现磁场测量。优点是温度影响小,结构简单,体积小,易实现多点分布式传感。
搜索关键词: 一种 流体 填充 光子 晶体 光纤 磁场 传感器
【主权项】:
一种磁流体填充光子晶体光纤F‑P磁场传感器,包括宽带光源20、光纤耦合器21及其光纤链路(31、32、33、34)、折射率匹配液22、传感器探头23、电磁线圈18及其电流驱动系统19、光谱分析仪25、计算机24及连接电缆26和27,其特征在于:所述的传感器探头包括一段填充了磁流体13的光子晶体光纤12和一根标准单模光纤11;所述的光子晶体光纤的一端面粘结全反射镜15,另一端面通过一个部分反射膜与单模光纤熔接在一起,构成反射式的光纤F‑P干涉腔结构;在被测磁场作用下,所述的磁流体作为光纤F‑P干涉腔的腔内敏感介质,其折射率将发生变化,导致输出光谱变化,从而实现磁场检测。
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