[发明专利]金属互连结构形成方法和金属互连结构无效
| 申请号： | 201110103157.3 | 申请日： | 2011-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102184890A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 牟善勇;谭璜 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金属互连结构形成方法和金属互连结构。根据本发明的金属互连结构形成方法包括：金属间介质沉积步骤，用于在形成有有源区结构的半导体器件结构上沉积金属间介质；接触孔图案形成步骤，用于对金属间介质进行刻蚀以形成接触孔图案，金属层形成步骤，用于在形成有接触孔图案的结构上形成金属层；刻蚀步骤，用于所形成的金属层进行刻蚀；以及金属层再形成骤，用于在刻蚀后的金属层上再次形成金属覆盖层。根据本发明，通过两次形成金属层以及两次形成金属之间的刻蚀，可以有效地消除接触孔部分的金属互连结构中的空隙，并且使得所形成的金属互连结构更加均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 互连 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种金属互连结构形成方法，其特征在于包括：金属间介质沉积步骤，用于在形成有有源区结构的半导体器件结构上沉积金属间介质；接触孔图案形成步骤，用于对金属间介质进行刻蚀以形成接触孔图案，金属层形成步骤，用于在形成有接触孔图案的结构上形成金属层；刻蚀步骤，用于所形成的金属层进行刻蚀；以及金属层再形成骤，用于在刻蚀后的金属层上再次形成金属覆盖层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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