[发明专利]用于保持热预算稳定的加热方法有效
| 申请号： | 201110104354.7 | 申请日： | 2011-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102760638A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 李春龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于保持热预算稳定的加热方法，通过在主工序后插入一个虚拟工序，使得整个加热工艺的总时间保持不变，有利于保持热预算稳定，进一步有利于器件性能维持稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 保持 预算 稳定 加热 方法 | ||
【主权项】：
一种用于保持热预算稳定的加热方法，包括：升温，将反应炉内的温度从第一温度上升至第二温度；主工序步骤，用于对晶片处理形成薄膜，占用第一时间T1；虚拟工艺步骤，占用第二时间T2；降温，将反应炉内的温度从第二温度下降至第一温度；其特征在于，所述第一时间和第二时间之和为一固定常数。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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