[发明专利]发光二极管封装结构的制造方法无效
申请号: | 201110104678.0 | 申请日: | 2011-04-26 |
公开(公告)号: | CN102760793A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 张超雄 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种发光二极管制造方法,包括以下步骤:提供基板;设置电路结构于基板上,所述电路结构包括设置于基板顶面的第一金属层、设置于基板底面的第二金属层及穿置于基板内并连接该第一金属层与第二金属层的连接段;沿着垂直于基板的方向从该连接段的中部切断该电路结构,从而形成相对设置的第一电连接部及第二电连接部,在该第一电连接部和第二电连接部之间形成一间隙;设置发光二极管芯片于基板上;在基板上形成封装体,该封装体覆盖于发光二极管芯片之上;分别对应第一连接部、第二连接部的外侧,沿着垂直于基板的方向对基板及封装体进行切割,使之分离为独立的发光二极管封装结构。本发明的制造方法工序简易、容易操作,可提高产品良率。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管封装结构的制造方法,包括以下步骤:准备步骤,提供基板;设置电路结构步骤,设置电路结构于基板上,所述电路结构包括设置于基板顶面的第一金属层、设置于基板底面的第二金属层及穿置于基板内并连接该第一金属层与第二金属层的连接段;切断步骤,沿着垂直于基板的方向从该连接段的中部切断该电路结构,从而形成相对设置的第一电连接部及第二电连接部,在该第一电连接部和第二电连接部之间形成一间隙;设置发光二极管芯片步骤,设置发光二极管芯片于基板上,并将发光二极管芯片分别电连接第一电连接部及第二电连接部;形成封装体步骤,在基板上形成封装体,该封装体覆盖于发光二极管芯片之上;分离步骤,分别对应第一连接部、第二连接部的外侧,沿着垂直于基板的方向对基板及封装体进行切割,使之分离为独立的发光二极管封装结构。
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