[发明专利]一种改善大面积碳纳米管阴极场发射均匀性的后处理方法

摘要

一种改善碳纳米管阴极场发射均匀性的后处理方法：通过阳极板和固定安装了作为碳纳米管阴极的阴极安装架构成场发射装置，将该场发射装置放在高真空度真空腔内，阳极板与阴极分别与一电源的两极相连。通过该电源提供电压，使该阴极中高度或导电性高于平均水平的碳纳米管首先发射电子，向真空腔通入一定压强的氧气使首先发射电子的碳纳米管加速烧灼以将其除去，余下的碳纳米管性能趋于一致，场发射均匀性提高。所述后处理方法还设置摄像机与监视屏，实时观察场发射址图像及测量场发射特性。

主权项

一种改善碳纳米管阴极场发射均匀性的后处理方法，包括如下步骤：(1)将碳纳米管阴极固定安装在阴极安装架上，与一阳极板相对平行隔开并固定，阳极板与安装了该阴极的阴极安装架共同构成场发射装置；(2)将步骤1中固定好的场发射装置放入一设有进气阀和排气阀的真空腔内，抽真空；通过一电源向阳极板施加正电压，阴极施加负电压或接地，使阴极产生场发射电流，通过一摄像机与一监视屏观测该阴极在阳极板形成的初始场发射像和场发射特性；(3)打开进气阀往真空腔内通入氧气，阴极中由于性能不均而首先发射电子的部分碳纳米管在氧气氛中加速烧除，场发射均匀性提高；(4)关闭进气阀停止向真空腔内通入氧气，重新抽真空，观察经步骤3处理后阴极的场发射像和场发射特性。