[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件具有被安装到衬底内部的管芯附着区的倒装芯片型或PoP半导体管芯。该衬底具有在管芯附着区周围的接触焊盘区和在管芯附着区与接触焊盘区之间的流动控制区。第一沟渠形成在流动控制区内的衬底的表面中。第一沟渠在管芯附着区外围周围延伸。第一坝材料被形成得邻近流动控制区内的第一沟渠。底部填充材料被沉积在管芯和衬底之间。第一沟渠和第一坝材料控制底部填充材料向外流以防止过多的底部填充材料覆盖接触焊盘区。第二沟渠可以被形成得邻近第一坝材料。第二坝材料可以被形成得邻近第一沟渠。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底，所述衬底具有在衬底内部的管芯附着区和在管芯附着区周围的接触焊盘区以及在衬底表面上在管芯附着区和接触焊盘区之间的流动控制区；在流动控制区内的衬底的表面中形成第一沟渠，第一沟渠在管芯附着区的外围周围延伸；在流动控制区内形成邻近第一沟渠的第一坝材料；将半导体管芯安装到衬底的管芯附着区；以及在半导体管芯和衬底之间沉积底部填充材料，其中第一沟渠和第一坝材料控制底部填充材料向外流以防止过多的底部填充材料覆盖接触焊盘区。