[发明专利]一种单向导通的高压启动电路

摘要

本发明公开了一种单向导通的高压启动电路，包括：镜像电流源、电流源的产生控制模块、充电电容、第一P沟道MOS场效应晶体管M1和第二P沟道MOS场效应晶体管M2。实现步骤：当高压启动完成时，所述第一P沟道MOS场效应晶体管M1可以视为一反向偏置的PN结，所述第二P沟道MOS场效应晶体管M2可以视为一正向偏置的PN结，由于所述第一P沟道MOS场效应晶体管M1反偏，压降消耗在所述P沟道MOS场效应晶体管M2上，从而有效的保证了高压启动电流的单向流动性。本发明具有实现方法新颖，电路简单，可靠性高的优点。

主权项

一种单向导通的高压启动电路，其特征在于，包括镜像电流源(1)、电流源的产生控制模块(2)、充电电容C、第一P沟道MOS场效应晶体管M1和第二P沟道MOS场效应晶体管M2，所述第一P沟道MOS场效应晶体管M1的源极与所述第二P沟道MOS场效应晶体管M2的源极相接，所述第一P沟道MOS场效应晶体管M1的栅极与所述第二P沟道MOS场效应晶体管M2的栅极、漏极相接，所述第一P沟道MOS场效应晶体管M1和第二P沟道MOS场效应晶体管M2的衬底均与其自身的源极连接；所述第一P沟道MOS场效应晶体管M1的漏极与所述镜像电流源(1)的一端连接，所述电流源的产生控制模块(2)与所述镜像电流源(1)的另一端连接，所述镜像电流源(1)连接有高压输入端Vh，所述第二P沟道MOS场效应晶体管M2的漏端与输出端V连接，所述充电电容C一端与输出端V连接，另一端直接接地。