[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201110107266.2 | 申请日： | 2011-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102237465A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 崔云庆;崔铉旼;金鲜京 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光器件、发光器件封装以及发光系统。发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层；光透射衬底，该光透射衬底具有小于化合物半导体层的折射率的折射率；以及反射镜结构层，该反射镜结构层具有其中具有第一折射率的第一反射镜层和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二反射镜层相互交替地堆叠的结构。第一反射镜层具有W·λ/(4·n1·m)的厚度，并且第二反射镜层具有W·λ/(4·n2·m)的厚度，其中W表示处于大约1.05至大约1.25范围内的权重常数。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层、以及在所述有源层上的第二导电半导体层；光透射衬底，所述光透射衬底被布置在所述发光结构下面并且具有小于所述第一导电半导体层的折射率的折射率；以及反射镜结构层，所述反射镜结构层被布置在所述光透射衬底下面并且包括具有第一折射率的第一反射镜层和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二反射镜层，其中所述第一反射镜层和所述第二反射镜层相互交替地堆叠，其中所述第一反射镜层具有W·λ/(4·n1·m)的厚度，并且所述第二反射镜层具有W·λ/(4·n2·m)的厚度，其中λ表示从所述发光结构发射的光的波长，n1和n2分别表示所述第一和第二折射率，m表示自然数，并且W表示处于大约1.05至大约1.25范围内的权重常数。
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