[发明专利]一种PMMA芯片与PDMS芯片的不可逆键合方法无效

专利信息
申请号: 201110107372.0 申请日: 2011-04-28
公开(公告)号: CN102276862A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 杨乾乾;丁继亮;孙晓朋 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: C08J7/12 分类号: C08J7/12;C08J5/12;C08L33/12;C08L83/04
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 慕安荣
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种PMMA芯片与PDMS芯片的不可逆键合方法,将PMMA芯片与PDMS芯片分开加工。利用反应离子刻蚀机的B室对PMMA芯片的键合面进行氧等离子体处理,用电晕放电仪对PDMS芯片的键合面进行处理,并合理控制处理参数。将处理后的PDMS芯片的键合面和PMMA芯片的键合面相互贴合并固紧,得到不可逆键合的芯片。本发明充分利用了PMMA和PDMS的优点,使PMMA芯片的键合面和PDMS芯片的键合面由亲水性变为疏水性,从而提高了键合成功率,增强了PMMA芯片与PDMS芯片的键合强度。
搜索关键词: 一种 pmma 芯片 pdms 可逆 方法
【主权项】:
一种PMMA芯片与PDMS芯片的不可逆键合方法,其特征在于,其具体过程包括以下步骤:步骤1:选择PMMA芯片平整表面作为键合面;将PMMA芯片置于分析纯的异丙醇中,对PMMA芯片的键合面用超声波清洗5~10分钟后吹干;步骤2:选择PDMS芯片平整表面作为键合面;将PDMS芯片置于分析纯的异丙醇中,对PDMS芯片的键合面用超声波清洗5~10分钟后吹干;步骤3:用反应离子刻蚀机的B室对PMMA芯片的键合面进行氧等离子体处理20~60秒,其中反应离子刻蚀机的氧气流量为50~100sccm,反应离子刻蚀机的功率为200w,反应腔的压力为10~20Pa;步骤4:将经步骤3处理后的PMMA芯片置于浓度为5%,温度为65~85度的氨丙基三乙氧基硅烷中浸泡1~2分钟后吹干;步骤5:将经步骤4处理后的PMMA芯片置于30~55度的烘箱中烘烤10~30分钟;步骤6:用电晕放电仪对PDMS芯片的键合面进行处理,处理时间为20~60秒。用电晕放电仪对PMMA芯片的键合面进行处理,处理时间为25~70秒;步骤7:将PDMS芯片的键合面和PMMA芯片的键合面相互贴合并固紧,得到不可逆键合的芯片。
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